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STP11N60DM2

功能描述：N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh??

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：420 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：16.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：614pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：*

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220

标准包装：1,000

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